氮化镓以开关速度快，导阻低，低输入输出电荷的优势，应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用氮化镓取代硅MOS管，不仅降低了开关损耗，提高充电器的转换效率，使得充电器无需设计大面积的散热片；而且大幅提升了功率器件开关频率，减小变压器电感量，缩小变压器尺寸，进而减小充电器的体积。

传统氮化镓器件使用痛点解析

氮化镓器件凭借着独特的器件特性，已经在快充领域发挥着越来越重的作用。但是传统的氮化镓器件的门极电压非常特殊，门极门槛电压极低，1V左右的门极电压就可以部分导通；门极耐压也只有6V左右。

上图为传统氮化镓器件应用电路图，为了配合传统的电源控制器，工程师需要在门极配置复杂的电平转换电路，使用起来非常不方便。

芯导新一代直驱型氮化镓功率IC问世

芯导科技直面客户使用痛点，推出全新一代直驱型E-Mode氮化镓功率IC。该产品内部集成驱动电路，使得传统的电源控制器可以直接进行驱动，无需配置复杂的电平转换电路。

芯导科技此次推出的 PDG7115 是一款 650V 160mΩ 的氮化镓功率IC，采用 DFN5*6 封装，非常适合客户设计紧凑型 65W PD 充电器或是其他高密度功率电源。

无需外部驱动电路

芯导 PDG7115 省去外部电平转换电路，除了降低系统器件成本以外，还可以大幅降低寄生电感电容对氮化镓功率器件门极的干扰，使氮化镓的门极免受振铃过压击穿的风险

上图为芯导 PDG7115 应用电路图，相比传统氮化镓器件，PGD7115 直驱型 GaN 功率 IC 无需配置复杂的电平转换电路，外围电路更为简洁，有效降低 BOM 成本，加速产品上市周期。

可通过逻辑PWM信号驱动

芯导 PDG7115 内部氮化镓器件可以接受PWM信号的直接控制，兼容 5V/15V 的数字逻辑电平。内置的驱动电路可以在逻辑电平翻转后准确的饱和导通和关断功率器件，避免了氮化镓误导通和误关断的风险。