英诺赛科多款InnoGaN新品亮相，助力PD快充实现更高效率

随着市场对快充适配器功率密度的不断追求，适配器的开关频率逐渐提升，从而缩小内部元件体积，传统的Si MOS器件，开关损耗和驱动损耗已经明显拉低了适配器的转换效率，器件限制不能继续提高工作频率，进而限制了磁性元件的缩小，不能进一步提升适配器的功率密度。

 

作为一家全球领先的氮化镓功率器件IDM原厂，英诺赛科已经推出多款氮化镓快充方案，通过InnoGaN 器件替换Si MOS，提高了快充适配器的转换效率和功率密度，英诺赛科InnoGaN 产品已经获得Anker、倍思、绿联、闪极、努比亚、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飞频等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用，出货量位居全球前三，市场反馈良好。

近期，英诺赛科 InnoGaN 家族迎来了三名新成员，分别是INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B，均为E-mode器件，耐压值分别为40V、100V、650V，面向不同的应用场景，实现系统的高效率。

 

这次的三款芯片延续了 InnoGaN 家族低导通电阻、封装寄生参数小、超快开关速度、无反向恢复等诸多优点，为实现系统的高效率而生。下面充电头网分别对这三款新品进行介绍，帮助大家了解产品特点。

 

INN040LA015A

 

作为快充市场的重要组成部分，DC-DC电源芯片在众多领域都发挥着不可或缺的作用，比如氮化镓多口快充、车充、充电宝、户外电源、电动工具等。英诺赛科面向DC-DC等应用场景推出了增强型氮化镓场效应管 INN040LA015A，实现更高的功率密度。

INN040LA015A耐压40V，导阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。采用晶圆级FCLGA5x4mm封装，相比传统封装MOS管体积大大缩小，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线，拥有超低的寄生电容、无反向恢复。

 

INN100W032A

 

同步整流通过将传统肖特基二极管替换成MOS管，由专用的控制器驱动MOS管根据次级输出电压控制导通和关闭，能够将传统肖特基二极管接近1V的压降降低到只有几十mV，有效降低次级整流的损耗，从而降低整流元件的损耗和温升。

 

英诺赛科面向同步整流、D类音频、高频DC-DC转换器等应用场景推出了增强型氮化镓功率管 INN100W032A，适用于充电宝、户外电源、通信基站、电机驱动器等产品领域，降低驱动损耗，提高工作频率。

INN100W032A采用 GaN‑on‑Silicon E‑mode HEMT技术，有着极低的栅极电荷和超低导通电阻。耐压100V，导阻3.2mΩ，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用FCSP 3.5mm x 2.13mm极小封装，大大节省占板面积。

 

INN650D080B

 

英诺赛科INN650D080B是一款增强型功率管，有着超高的开关频率，采用ESD防护设计，符合REACH 、RoHS规范，通过 JEDEC标准认证，可用于工业领域。应用场景有 AC‑DC转换器、DC‑DC转换器、初级开关管、PFC升压、图腾柱无桥PFC、快充电池等。

INN650D080B采用DFN 8x8封装，耐压650V，导阻80mΩ，连续电流30A，脉冲电流可达59A，能够适应-55℃到150℃工作环境，有着低栅极电荷、低输出电荷的优点，提升电源转换效率。