能华推出能同时兼容E GaN和Si MOS驱动的Cascode GaN产品

随着第三代半导体技术的发展和普及，目前市场上量产的氮化镓功率器件，主要有 E mode GaN 产品（即增强型GaN）和 D mode GaN 产品（即耗尽型GaN）。

增强型 GaN 的驱动电压范围比较窄，典型值只有6V，最高不能超过7V，因此驱动电压余量比较小，通常需要 RC 加 Zener 电路来进行钳位与分压来驱动 GaN，驱动电路比较复杂，增加了驱动电路设计难度，降低了驱动的可靠性；或者使用专门的驱动电压为6V的驱动 IC 来直接驱动，这增加了 IC 的选择难度。

耗尽型 GaN 在内部集成串联了一个低压增强型NMOS实现常关，通过控制串联的 NMOS 来实现开关，行业内称为 Cascode 结构，也称为共源共栅型；Cascode 结构其驱动兼容传统 NMOS 控制器，相比于增强型氮化镓，无需对电路重新设计，同时保留了氮化镓低开关损耗以及低压 NMOS 的低栅极电荷等优势。

放眼目前市面上量产的 Cascode GaN 器件，其DFN封装形式都不尽相同，各厂家的 GaN 器件之间无法做到 Pin to Pin，难以引入第二供应商。

能华微电子致力于 GaN 的研发、设计、外延、制造与生产；销售可用于高性能电源转换应用的氮化镓半导体功率器件，是全球少有能同时提供增强型、Cascode 结构氮化镓器件和耗尽型直驱动方案的IDM公司

针对目前客户在快充等消费级小功率 GaN 应用中的痛点，能华最近推出几款能同时兼容增强型GaN器件（6V）和 Si MOSFET 驱动（12V）的氮化镓器件。下面充电头网为各位介绍一下几款新品的特色亮点。

CE65H160DNHI

能华 CE65H160DNHI 是一款 DFN8*8 封装的氮化镓开关管，耐压650V，瞬态耐压900V，导阻为160mΩ，栅极支持±20V耐压，阈值电压典型值为2V，比一般增强型 GaN 高0.5V-0.8V，系统可靠性更高。

能华 CE65H160DNHI 具备极低的反向恢复电荷和门极电荷，能减小开关损耗，相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。可应用在PD快充、适配器等产品中。

值得一提的是，能华 CE65H160DNHI 的封装可与市面上某些量产 GaN 产品实现 Pin to Pin。此外 CE65H160DNHI 不仅支持6V驱动，还支持12V驱动，同时兼容增强型GaN和传统 Si MOSFET 驱动，因此驱动电路更简单，控制IC的选择也更灵活。

CE65H270TOBI

能华 CE65H270TOBI 是一款采用 TO 252 封装的 Cascode 结构的氮化镓器件，这种封装热容大、动态热阻低，耐热冲击能力强；这颗器件的耐压650V，瞬态耐压可达900V，导阻为270mΩ，门极阈值电压典型值为2V，栅极电压范围宽，可支持±20V耐压范围。

能华 CE65H270TOBI 的反向恢复电荷和门极电荷很小，相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。可应用在PD快充、TV供电等场景中。

值得一提的是，能华 CE65H270TOBI 可与 TO 252 封装的传统 Si MOSFET 实现 Pin To Pin。不仅如此，CE65H270TOBI 同样支持6V和12V驱动，实现对增强型 GaN 和传统 Si MOSFET 驱动的全兼容。