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    士兰微4款新品登场,采用内置协议+驱动+MCU 3合1设计

    2022年08月08日

    士兰微SD59D15

     

    士兰微 SD59D15 是一款应用于旅行充电器的控制芯片,内置协议IC和两路同步降压转换器,并且支持与反激电源联动的专利控制架构,支持100%占空比。可在充电器空载或者输出5V时降低充电器输出电压,降低空载损耗并提高效率。

    士兰微 SD59D15 支持双路独立的USB-C接口,内置的四路PWM输出,可配置为单路同步升降压或两路独立的同步降压应用,满足双口或者三口快充应用,而无需每个端口对应独立的降压协议芯片。

    士兰微 SD59D15 可以进行双路电流差分采样、输出电压采样,实时监测输出工作状态;具有3个负载开关控制信号,控制端口通断切换。可实现3路USB端口(最多两个C口)的快充协议解析。兼容 PD3.0、PPS、QC4.0+、FCP、SCP、SFCP、AFC、BC1.2、APPLE、VOOC、UFCS 等快充协议。

     

    士兰微 SD59D15 内置 32 位 MCU 处理器内核,最高工作频率可达 32MHz,具备丰富的辅助运算功能单元可以满足各种复杂函数运算功能。 芯片内嵌 PMU 及 LDO,实现 5V 供电和 1.5V 内核供电。芯片内嵌高速及低速振荡器各一个,可以节省系统成本。芯片整体还具有各种低功耗工作模式,可以适应各种应用需求。

    士兰微 SD59D15 采用 QFN6*6-52 封装,内置 16MHz 高精度 RC 振荡,具有灵活的时钟系统。集成有多路PWM,TIMER,ADC,能适用于多种控制应用。内置专用 SCP 协议模块和 BMC 协议模块等,适用于多种快充协议。还集成有丰富的通讯接口,包括 UART,I2C,可与其他芯片通信。芯片还内置过压、过流和过热保护,保证系统工作安全。

    图为士兰微 SD59D15 的双路独立降压应用电路图,通过单颗 SD59D15 芯片实现 2C1A 的双路独立降压控制,节省充电器次级元件数量;充电器内部 AC-DC 由 SD59D15 控制输出电压,输出一个 USB-C 口,另外一个 USB-C 口由 SD59D15 内置升降压调节电压输出。

     

    士兰微SD59D24A

     

    士兰微 SD59D24A 是一款应用于移动电源的高集成度协议和电源控制芯片,集成4路USB端口(最多一个C口),兼容 PD3.0、PPS、QC4.0+、FCP、SCP、SFCP、AFC、BC1.2、APPLE、VOOC、UFCS等快充协议。

    士兰微 SD59D24A 采用 QFN-52 封装,支持2A1C1B接口移动电源开发,支持单路H桥升降压,内置协议+驱动+MCU,支持C口在线升级,系统全部使用NMOS,支持输出和电池侧双电流采样,适用于2-7节电池应用。

     

    士兰微SD59D24B

     

    士兰微 SD59D24B 是一款应用于移动电源的控制芯片,可以实现4路USB端口(最多两个C口)的快充协议解析。兼容PD3.0、PPS、QC4.0+、FCP、SCP、SFCP、AFC、BC1.2、APPLE、VOOC、UFCS等快充协议,系统全部使用NMOS,适用于2-7节电池应用。

    士兰微 SD59D24B 内置8路死区可控的PWM驱动控制以实现双路、双向、升/降压开关电源转换。可进行双路电流差分采样、双路H桥端口电压采样和电池电压采样,实时监测双路DC-DC工作状态;具有四个负载开关控制信号,控制端口通断切换。

    士兰微 SD59D24B 采用 QFN-60 封装,内置 32 位 MCU 处理器内核,最高工作频率可达 32MHz,具备丰富的辅助运算功能单元可以满足各种复杂函数运算功能。 

     

    士兰微 SD59D24B 内嵌 PMU 及 LDO,实现 5V 供电和 1.5V 内核供电。芯片内嵌高速及低速振荡器各一个,可以节省系统成本。芯片整体还具有各种低功耗工作模式,可以适应各种应用需求。 

    士兰微 SD59D24B 内置 16MHz 高精度 RC 振荡,具有灵活的时钟系统。集成有多路PWM,TIMER,ADC,能适用于多种控制应用。内置专用 SCP 协议模块和 BMC 协议模块等,适用于多种快充协议。

     

    士兰微 SD59D24B 还集成有丰富的通讯接口,包括 UART,I2C,可与其他芯片通信,支持C口升级。具有数码管控制功能和 LED 控制功能,可用于电量显示和照明。芯片还内置过压、过流和过热保护,保证系统工作安全。 

     

    士兰微SD59G23

     

    士兰微 SD59G23 是一款应用于移动电源快充的MOS桥,内部集成了 4 颗 30V NMOSFET,4 颗 MOS 在内部组成了两个半桥结构。

    士兰微 SD59G23 采用 QFN28 封装,导通电阻 8mΩ@VGS=4.5V,非常适合应用在大功率移动电源等产品中,极大的提高了器件的集成度。

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