华源智信推出GND散热的集成氮化镓芯片HYC3606

华源智信合封氮化镓新品登场

华源 HYC3606 内部集成了 650V/360mΩ 的氮化镓功率器件、数字多模式反激控制器和自适应氮化镓栅极驱动器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。

华源 HYC3606 可选 ESOP8 / DFN5x6 两种封装，工作频率可选 89K / 130K，支持 CCM/DCM/PFM/突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片可平衡开关损耗和EMI，支持抖频功能以改善EMI性能。

华源 HYC3606 采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。芯片支持静点GND散热，内置有丰富的保护功能，包括LPS, VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。

华源 HYC3606 典型应用电路如上图所示，芯片待机功耗小于60mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。

华源 HYC3606 目前提供四种选型，开关频率可选 89kHz 和 130kHz，高线电压下均为 QR 模式运行，低线电压下可选 QR 和 CCM/QR 模式运行，封装可选 ESOP8 和 DFN5x6。

华源 HYC3606E 参考设计方案在接入 1.5m 线缆，3.3V 输出的条件下，输出效率如上表所示。115Vac 输入时，方案平均效率超 DOE 六级能效标准近2%；230Vac 输入时，方案平均效率超 DOE 六级能效标准1%。

华源 HYC3606E 参考设计方案在接入 1.5m 线缆，5V 输出的条件下动态测试如上图所示。115Vac 输入时，方案动态欠充最小值为 3.49V；230Vac 输入时，方案动态欠充最小值为 3.46V。

华源 HYC3606E 参考设计方案能效测试如上图所示，在 20V 输出下效率最高超 92%，15V 输出下效率最高超 93%，9V 输出下效率最高超 92.5%，5V 输出下效率最高超 91.5%。

华源 HYC3606E 参考设计方案待机功耗测试如上图所示，在 90V/60Hz、115V/60Hz、230V/50Hz、264V/50Hz 四种输入条件下均满足欧盟 COC V5 能效标准。